1. Anasayfa
  2. Haberler

SK Hynix 2025’e Kadar 400 Katmanlı NAND Üretimine Başlamayı Hedefliyor

SK Hynix 2025’e Kadar 400 Katmanlı NAND Üretimine Başlamayı Hedefliyor
0

Yüksek depolama kapasitesine duyulan ihtiyaç sürekli artıyor ve SK Hynix, yeni hedefiyle bu konuda rekabeti artırıyor. Şirket, gelecekteki depolama sürücüleri için 400 katmanlı NAND üretimine başlamak için planlarını açıkladı. Etnews’in haberine göre, SK Hynix, 2025’in sonuna kadar bu 400 katmanlı NAND’ın seri üretimine başlamayı ve 2026’nın ilk yarısında tam ölçekli üretime geçmeyi hedefliyor. Ancak, bu kadar yüksek katmanlı NAND oluşturma süreci karmaşık ve bir dizi teknoloji gerektiriyor.

SK Hynix, katmanların bağlanması için yeni malzemeleri inceleme sürecinde ve cilalama, aşındırma, kaplama ve kablolama gibi yöntemlerle farklı wafer’ları bağlamaya olanak tanıyacak çeşitli teknolojilere bakıyor. Tam süreç, her katmandaki hücrelerin düzenlenmesine odaklanan hücre yapısı tasarımı ve istifleme gibi bir dizi adımı içeriyor. Silikon wafer’lar temizlenip ince SiO2 ve Si3N4 katmanları uygulanarak hazırlanıyor. Ancak, katmanlar birer birer tekrar tekrar istiflenirken dikkatli bir şekilde yürütülmesi gereken bir süreçtir.

SK Hynix 2025’e Kadar 400 Katmanlı

SK Hynix, Ağustos 2023’te sergilediği 321 katmanlı NAND’ı şimdiden başarmış durumda ve 2025’in ilk yarısında seri üretime başlamayı planlıyor. 400 katmanlı NAND ile bu, şirketin ilk ve en gelişmiş NAND ürünü olacak. Bununla birlikte, SK Hynix bu alandaki tek oyuncu değil. Samsung ve Micron gibi bellek devleri de NAND çiplerinde katman sayısını artırma sürecinde. Micron, yakın zamanda 276 katmanlı yoğun bir NAND tanıttı, Samsung ise 290 katmanlı 9. nesil dikey NAND’ın seri üretimine başladı. Samsung, 2030 yılına kadar 1000’den fazla katmana sahip NAND üretmeyi hedefliyor. Japon şirketi Kioxia ise şu anda 218 3D NAND katmanında ve Samsung’dan önce 1000 katmana ulaşmayı planlıyor.

SK Hynix’in 400 katmana ulaşma yaklaşımı, hücreleri perifer devrelerin üzerine istifleyerek gerçekleştiriliyor. Bu yöntemde, bellek hücrelerini kontrol eden perifer devreler altta yer alırken, bellek hücreleri üstte istifleniyor. Ancak, katman eklemek, daha fazla ısı ve basınç ürettiğinden perifer devrelerin zarar görmesi sorununu ortaya çıkarıyor. Bu nedenle, şirket hibrit bağlama yöntemini uygulamayı planlıyor. Bu yöntemde, bellek hücreleri ve perifer devreler ayrı wafer’larda üretilir ve ardından zarar riskini azaltmak için wafer’lar birleştirilir. Yüksek katman sayısı sayesinde, NAND çipleri boyutlarını artırmadan çok daha fazla veri depolayabilir. Bu durum, kompakt sistemler için yer tasarrufu sağlarken depolama kapasitesini artırır ve daha uygun maliyetli depolama çözümleri sunar.

İlginizi Çekebilir  OnePlus Open 2 2025'te Piyasaya Sürülmeye Hazırlanıyor
Reaksiyon Göster
  • 0
    alk_
    Alkış
  • 0
    be_enmedim
    Beğenmedim
  • 0
    sevdim
    Sevdim
  • 0
    _z_c_
    Üzücü
  • 0
    _a_rd_m
    Şaşırdım
  • 0
    k_zd_m
    Kızdım

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir